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存儲器RAM(Random AccessMemory)兩種。其中，ROM存儲器最大的特點是信息可長久保存，它內(nèi)部的信息是采用存儲器讀寫器等專用設(shè)備固化的。而RAM存放的數(shù)據(jù)在斷電后會丟失，所以只用于CPU工作時的信息暫存。
由于小家電產(chǎn)品的信息、數(shù)據(jù)較單一，所以存

大容量FLASH存儲器、SRAM、A/D、I/O、兩個串口、看門狗、上電復(fù)位電路等等。單片機(jī)系統(tǒng)硬件抗干擾常用方法實踐：影響單片機(jī)系統(tǒng)可靠安全運(yùn)行的主要因素主要

可穿戴技術(shù)市場是當(dāng)前新興的一個有利市場。dmx512解碼器

熔化、浸泡、晾干4個步驟，操作起來簡單方便，無刺激性氣味，成本低，且不影響焊接、電路板維修方便，對焊接點也可以起到很好的保護(hù)作用。采用浸泡電子蠟的工藝主要考慮到電子蠟的軟化點對產(chǎn)品的影響，由于一般的工業(yè)白蠟熔斷在60°左右，對于戶外安裝的智能水表，在太陽高溫直射的情況下，模塊內(nèi)部溫度很可能達(dá)到60°

可穿戴技術(shù)各種產(chǎn)品，如智能服裝和智能運(yùn)動眼鏡，活動監(jiān)視器，睡眠傳感器，智能表，增強(qiáng)逼真的耳機(jī)、導(dǎo)航羅盤等。可穿戴技術(shù)設(shè)備少不了撓性電子電路，將帶動撓性印制電子電路的發(fā)展。印制電子技術(shù)的重要一方面是材料，

6）數(shù)據(jù)線的寬度應(yīng)盡可能地寬，以減小阻抗。dmx512解碼器

號輸入;采用高電平復(fù)位方式的復(fù)位端有一個5V→0V的復(fù)位信號輸入。下面以常見的低電平復(fù)位電路介紹復(fù)位原理。
開機(jī)瞬間5V電源電壓在濾波電容的作用下是從0V逐漸升高到5V的，使復(fù)位電路輸出的復(fù)位信號也從低電平到高電平。當(dāng)

數(shù)據(jù)線的寬度至少不小于0.3mm(12mil)，如果采用0.46～0.5mm(18mil～20mil)則更為理想。（7）由于電路板的一個過孔會帶來大約10pF的電容效應(yīng)，這對于高頻電路，將會引入太多的干擾，所以在布線的時候，應(yīng)盡可能