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發(fā)布時間:2021-01-26     點(diǎn)擊量:635

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大于5μm。銅箔粗糙的凸峰嵌入基材是提高了抗剝離性,但在線路蝕刻時為控制導(dǎo)線精度不至過蝕刻,容易有嵌入基材凸峰殘留,造成線路間短路或絕緣性下降,對精細(xì)線路尤為嚴(yán)重。因此需要低粗糙度(小于3μm)的銅箔,甚至更低粗糙度(1.5μm)的銅箔。但銅箔粗糙度降低而導(dǎo)體的抗剝強(qiáng)度仍要保持,

它包括芯片、器件選擇、去耦濾波、印刷電路板布線、通道隔離等。(6)單片機(jī)外圍電路較多時,必須考慮其驅(qū)動能力。驅(qū)動能力不足時,系統(tǒng)工作不可靠,

TI移除了器件內(nèi)部的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),以便設(shè)計師根據(jù)實(shí)際輸出電流來決定整個RCL系統(tǒng)所需要的MOSFET類型。廣州DMX512RDM設(shè)計DMX512RDM

號輸入;采用高電平復(fù)位方式的復(fù)位端有一個5V→0V的復(fù)位信號輸入。下面以常見的低電平復(fù)位電路介紹復(fù)位原理。
開機(jī)瞬間5V電源電壓在濾波電容的作用下是從0V逐漸升高到5V的,使復(fù)位電路輸出的復(fù)位信號也從低電平到高電平。當(dāng)

為了防止這種耦合,通常在電路設(shè)計上就要考慮。使干擾源和被干擾對象間沒有公共阻抗。(3)電容耦合:又稱電場耦合或靜電耦合。是由

左右。(4)要注意接地點(diǎn)的選擇。DMX512RDM

以通過測電壓的方法很難判斷CPU是否輸入了復(fù)位信號。而一般維修人員又沒有示波器,為此可通過簡單易行的模擬法進(jìn)行判斷。對于采用低電平復(fù)位方式的復(fù)位電路,在確認(rèn)復(fù)位端子供電電壓為高電平后,可通過100Ω電阻將CPU的復(fù)

當(dāng)電路板上信號頻率低于1MHz時,由于布線和元件之間的電磁感應(yīng)影響很小,而接地電路形成的環(huán)流對干擾的影響較大,所以要采用一點(diǎn)接地,使其不形成回路。當(dāng)電路板上信號頻率高于10MHz時,由于布線的電感效應(yīng)明顯,地線阻抗變得很大,此時接地電路形成的

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