下為中Dk/Df級(jí)層壓板，RDM

高密度細(xì)線化的需求對(duì)銅箔的需求PCB全都向高密度細(xì)線化發(fā)展，HDI板尤為突出。在十年前IPC為HDI板下的定義是線寬/線距(L/S)是0.1mm/0.1mm及以下，現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)基本做到常規(guī)L/S為60μm，先進(jìn)的L/S為40μm。日本的2013年版安裝技術(shù)路線圖數(shù)據(jù)是2014年HDI板常規(guī)L/S為50

當(dāng)Dk低于3.7與Df0.005以下為低Dk/Df級(jí)層壓板，現(xiàn)在有多種基材進(jìn)入市場(chǎng)可供選擇。目前較多采用的高頻電路板基材主要是氟系樹(shù)脂、聚苯醚(PPO或PPE)樹(shù)脂和改性環(huán)氧樹(shù)脂這三大類(lèi)材料。氟系介質(zhì)基板，如聚四氟乙烯(PTFE)介電性能最低，通常

后還要使機(jī)座的固定可靠，避免機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)引起的運(yùn)轉(zhuǎn)不穩(wěn)。RDM

還是希望用薄銅箔為好。還有，PCB線路L/S小于20μm情況下，一般薄銅箔也難以勝任，需要用到超薄銅箔(3~5μm)基板和附于載體的超薄銅箔。當(dāng)前精細(xì)線路對(duì)銅箔要求除了厚度更薄外，同時(shí)需要銅箔表面低粗糙度。通常為提高銅箔與基材的結(jié)合力，確保導(dǎo)體抗剝強(qiáng)度，都采取銅箔層粗化處理，常規(guī)的銅箔粗糙度

2、防止傳導(dǎo)干擾為了防止控制板電路產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾，可在電路的進(jìn)入口并接上一個(gè)電容C，所示是一個(gè)簡(jiǎn)單的電容抗擾電路連接圖。必須在該電容的兩端并聯(lián)一個(gè)安全電阻，以防止電源線拔插時(shí)電源線插頭長(zhǎng)時(shí)間帶電。

內(nèi)核升級(jí)為雙核驅(qū)動(dòng)，帶來(lái)快達(dá)10倍的處理速度，能處理復(fù)雜的多層次無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸；
領(lǐng)先的RF無(wú)線同步控制技術(shù)，控制器之間無(wú)需同步信號(hào)線，同步性能穩(wěn)定可靠；
實(shí)現(xiàn)無(wú)限個(gè)接受控制器同步燈光變化，解決控制器之間無(wú)法拉線但需要同步控制的場(chǎng)所問(wèn)題；東莞RDM生產(chǎn)廠家RDM

新一代積層材料特別要求表面低粗化度、低熱膨脹率、低介質(zhì)損耗及薄型剛強(qiáng)化等。全球半導(dǎo)體封裝中IC封裝載板由有機(jī)基板取代陶瓷基板，倒裝芯片(FC)封裝載板的節(jié)距越來(lái)越小，現(xiàn)在典型的線寬/線距為15μm，接下來(lái)會(huì)更細(xì)。多層的載板性能重點(diǎn)要求低介電性、低熱膨脹系數(shù)和高耐熱性，在滿足性能目標(biāo)基礎(chǔ)