只有氟系樹脂印制板才能適用。DMX512RDM

大于5μm。銅箔粗糙的凸峰嵌入基材是提高了抗剝離性，但在線路蝕刻時為控制導(dǎo)線精度不至過蝕刻，容易有嵌入基材凸峰殘留，造成線路間短路或絕緣性下降，對精細(xì)線路尤為嚴(yán)重。因此需要低粗糙度(小于3μm)的銅箔，甚至更低粗糙度(1.5μm)的銅箔。但銅箔粗糙度降低而導(dǎo)體的抗剝強(qiáng)度仍要保持，

但PTFE其不足之處除成本高外是剛性差，及熱膨脹系數(shù)較大。對于聚四氟乙烯(PTFE)而言，為改善性能用大量無機(jī)物(如二氧化硅SiO2)填充材料或玻璃布作增強(qiáng)，來提高基材剛性及降低其熱膨脹性。另外因聚四氟乙烯樹脂本身的分子惰性，

埋置元件技術(shù)有成型元件埋置法、印制元件埋置法，DMX512RDM

或者半固化環(huán)氧玻璃布與銅箔層壓的積層難以達(dá)到精細(xì)線路?，F(xiàn)在趨于采用半加成法(SAP)或改進(jìn)型半加工法(MSAP)，即采用絕緣介質(zhì)膜積層，再化學(xué)鍍銅形成銅導(dǎo)體層，因銅層極薄容易形成精細(xì)線路。半加成法技術(shù)重點(diǎn)之一是積層介質(zhì)材料，為符合高密度細(xì)線路要求對積層材料提出介質(zhì)電氣性、絕緣性、耐熱性、

印制元件又分為厚膜元件與薄膜元件。制作薄膜元件需要特種基板，如覆銅板的銅箔下層含有鎳磷合金箔，供制作薄膜電阻;雙面覆銅板間夾有高介電常數(shù)基材供制作平面電容，形成埋置無源元件印制板。還有開發(fā)填充陶瓷粉末的聚合物復(fù)合材料，

功能要求，并留有適當(dāng)余地，以便進(jìn)行二次開發(fā)。DMX512RDM

L/S為20μm。PCB線路圖形形成，傳統(tǒng)的是銅箔基板上光致成像后化學(xué)蝕刻工藝(減成法)，減成法制作精細(xì)線路的限度最小約在30μm，并且需要用薄銅箔(9~12μm)基板。由于薄銅箔CCL價格高，及薄銅箔層壓缺陷多，較多工廠產(chǎn)生18μm銅箔然后生產(chǎn)中采取蝕刻減薄銅層。這種做法工序多、厚度控制難、成本高

（3）硬件結(jié)構(gòu)應(yīng)結(jié)合應(yīng)用軟件方案一并考慮。硬件結(jié)構(gòu)與軟件方案會產(chǎn)生相互影響，考慮的原則是：軟件能實現(xiàn)的功能盡可能由軟件實殃，以簡化硬件結(jié)構(gòu)。但必須注意，由軟件實現(xiàn)的硬件功能，一般響應(yīng)時間比硬件實現(xiàn)長，且占用CPU時間。（4）系統(tǒng)中