這是受集膚效應(yīng)(SkinEffect)的影響。RDM

存儲器RAM(Random AccessMemory)兩種。其中，ROM存儲器最大的特點是信息可長久保存，它內(nèi)部的信息是采用存儲器讀寫器等專用設(shè)備固化的。而RAM存放的數(shù)據(jù)在斷電后會丟失，所以只用于CPU工作時的信息暫存。
由于小家電產(chǎn)品的信息、數(shù)據(jù)較單一，所以存

集膚效應(yīng)為高頻信號傳輸時在導(dǎo)線產(chǎn)生電磁感應(yīng)，在導(dǎo)線截面中心處電感較大，使得電流或信號趨于導(dǎo)線表面集中。導(dǎo)體表層粗糙度影響到傳輸信號損失，表面光滑損失小。在相同頻率下，銅表面粗糙度越大，信號損耗越大，

如ROM、RAM等芯片旁邊安裝去耦電容。實際上，RDM

或者半固化環(huán)氧玻璃布與銅箔層壓的積層難以達到精細線路?，F(xiàn)在趨于采用半加成法(SAP)或改進型半加工法(MSAP)，即采用絕緣介質(zhì)膜積層，再化學(xué)鍍銅形成銅導(dǎo)體層，因銅層極薄容易形成精細線路。半加成法技術(shù)重點之一是積層介質(zhì)材料，為符合高密度細線路要求對積層材料提出介質(zhì)電氣性、絕緣性、耐熱性、

電路板走線、引腳連線和接線等都可能含有較大的電感效應(yīng)。大的電感可能會在Vcc走線上引起嚴重的開關(guān)噪聲尖峰。防止Vcc走線上開關(guān)噪聲尖峰的唯一方法，是在VCC與電源地之間安放一個0.1uF的電子去耦電容。如果電路板上使用的是表，

能夠級聯(lián)多DMX燈具，RDM

修。
提示　目前，許多資料將保護性關(guān)機故障稱為開機復(fù)位，這是錯誤的，因為開機復(fù)位指的是CPU內(nèi)電路在開機瞬間進行的清零復(fù)位過程。
2.典型故障
若微處理器的三個基本工作條件電路異常，微處理器不能工作，會產(chǎn)生整機不工

可以配合LED DMX驅(qū)動組成一個完整的DMX控制系統(tǒng)。在大型的LED戶外裝飾工程中由DMX512控制器和DMX驅(qū)動組成的控制系統(tǒng)得到廣泛的應(yīng)用目前國內(nèi)通常DMX512控制器內(nèi)置3針XLR接口，這點很不好，國外都采用5針，這樣可以跟音頻連接線區(qū)分。