下為中Dk/Df級(jí)層壓板，RDM

新一代積層材料特別要求表面低粗化度、低熱膨脹率、低介質(zhì)損耗及薄型剛強(qiáng)化等。全球半導(dǎo)體封裝中IC封裝載板由有機(jī)基板取代陶瓷基板，倒裝芯片(FC)封裝載板的節(jié)距越來(lái)越小，現(xiàn)在典型的線寬/線距為15μm，接下來(lái)會(huì)更細(xì)。多層的載板性能重點(diǎn)要求低介電性、低熱膨脹系數(shù)和高耐熱性，在滿足性能目標(biāo)基礎(chǔ)

當(dāng)Dk低于3.7與Df0.005以下為低Dk/Df級(jí)層壓板，現(xiàn)在有多種基材進(jìn)入市場(chǎng)可供選擇。目前較多采用的高頻電路板基材主要是氟系樹脂、聚苯醚(PPO或PPE)樹脂和改性環(huán)氧樹脂這三大類材料。氟系介質(zhì)基板，如聚四氟乙烯(PTFE)介電性能最低，通常

該器件具有全面領(lǐng)先的保護(hù)和檢測(cè)功能，可確保您的設(shè)計(jì)滿足所有汽車原始設(shè)備制造商（OEM）的要求，如LED開路、LED短路和一個(gè)失效全部失效。 TPS92830-Q1還支持電流降額功能，可在高壓輸入條件下保護(hù)外部MOSFET，確保系統(tǒng)的可靠性。RDM

三個(gè)基本工作條件。
1.供電
由電源電路輸出的5V電壓送到CPU供電端，為CPU內(nèi)部電路供電。大部分CPU能夠在4.5～5.3V供電區(qū)間正常工作。
2.復(fù)位
CPU的復(fù)位方式有低電平復(fù)位和高電平復(fù)位兩種。采用低電平復(fù)位方式的復(fù)位端有0V→5V的復(fù)位信

可以提高資源利用率及管理效率。RDM

高密度細(xì)線化的需求對(duì)銅箔的需求PCB全都向高密度細(xì)線化發(fā)展，HDI板尤為突出。在十年前IPC為HDI板下的定義是線寬/線距(L/S)是0.1mm/0.1mm及以下，現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)基本做到常規(guī)L/S為60μm，先進(jìn)的L/S為40μm。日本的2013年版安裝技術(shù)路線圖數(shù)據(jù)是2014年HDI板常規(guī)L/S為50

2、節(jié)能性：可以減少長(zhǎng)流水現(xiàn)象，通過收費(fèi)的方式提醒人們?cè)谟盟瑫r(shí)自己的錢在減少，避免浪費(fèi)。3、環(huán)保性：漢光產(chǎn)品在水控器系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上嚴(yán)格遵循環(huán)保要求，創(chuàng)導(dǎo)環(huán)保和節(jié)能新概念。4、可操作性：軟、硬件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，軟件升級(jí)和硬件操作相當(dāng)方便。