PTFE類同的電氣性能，及具有FR-4類同的PCB加工條件，DMX512信號(hào)放大器

L/S為20μm。PCB線路圖形形成，傳統(tǒng)的是銅箔基板上光致成像后化學(xué)蝕刻工藝(減成法)，減成法制作精細(xì)線路的限度最小約在30μm，并且需要用薄銅箔(9~12μm)基板。由于薄銅箔CCL價(jià)格高，及薄銅箔層壓缺陷多，較多工廠產(chǎn)生18μm銅箔然后生產(chǎn)中采取蝕刻減薄銅層。這種做法工序多、厚度控制難、成本高

在40GHz下Dk3.0和Df0.002，達(dá)到傳送100千兆位以太網(wǎng)（100GbE）的需要。對(duì)高頻用覆銅板除了上述樹(shù)脂等絕緣材料性能有特殊要求外，導(dǎo)體銅的表面粗糙度(輪廓)也是影響信號(hào)傳輸損耗的一個(gè)重要因素，

可以用片狀電容直接緊靠著元件，在Vcc引腳上固定DMX512信號(hào)放大器

減、乘、除的算術(shù)運(yùn)算;二是完成與、或、異或的邏輯運(yùn)算;三是完成信息傳遞。在運(yùn)算電路中，參與運(yùn)算的數(shù)據(jù)是從存儲(chǔ)器內(nèi)取出的，運(yùn)算后的結(jié)果還要存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器內(nèi)。運(yùn)算器的運(yùn)算和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的操作都是通過(guò)控制器的控制來(lái)實(shí)

。最好是使用瓷片電容，這是因?yàn)檫@種電容具有較低的靜電損耗（ESL）和高頻阻抗，另外這種電容溫度和時(shí)間上的介質(zhì)穩(wěn)定性也很不錯(cuò)。盡量不要使用鉭電容，因?yàn)樵诟哳l下它的阻抗較高。在安放去耦電容時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)：

就不再是主要的問(wèn)題了。所以應(yīng)采用多點(diǎn)接地，DMX512信號(hào)放大器

號(hào)輸入;采用高電平復(fù)位方式的復(fù)位端有一個(gè)5V→0V的復(fù)位信號(hào)輸入。下面以常見(jiàn)的低電平復(fù)位電路介紹復(fù)位原理。
開(kāi)機(jī)瞬間5V電源電壓在濾波電容的作用下是從0V逐漸升高到5V的，使復(fù)位電路輸出的復(fù)位信號(hào)也從低電平到高電平。當(dāng)

盡量降低地線阻抗。（5）電源線的布置除了要根據(jù)電流的大小盡量加粗走線寬度外，在布線時(shí)還應(yīng)使電源線、地線的走線方向與數(shù)據(jù)線的走線方身一致，在布線工作的最后，用地線將電路板的底層沒(méi)有走線的地方鋪滿，這些方法都有助于增強(qiáng)電路的抗干擾能力。